高频电刺激大鼠丘脑底核抑制背侧中缝核5-羟色胺表达

• 作者: 曹春燕 李晓敏 李永渝 汪海宏 诸秉根
• 来源期刊: 神经解剖学杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 高频电刺激 丘脑底核 5-羟色胺 背侧中缝核
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 原著
• 页码范围: 412-416
• 页数: 5页
• 分类号: R9
• 语种: 中文

摘要

本研究探讨高频电刺激丘脑底核对大鼠背侧中缝核5-羟色胺(5-HT)表达的影响.实验动物分两组,刺激组给予高频电流(130 Hz,100 μA,60 μs)刺激大鼠右侧丘脑底核,对照组大鼠右侧丘脑底核植入电极,但无电流输出.刺激结束后,用免疫组织化学方法染色背侧中缝核5-HT能神经元,检测背侧中缝核5-HT能神经元的数量和平均灰度值.结果显示电刺激组背侧中缝核5-HT阳性神经元数日与对照组比明显减少(t(13)=3.786,P=0.002),并且神经递质5-HT表达最减少,平均灰度值显著增高(t(13)=7.917,P＜0.001).本实验结果表明高频电刺激丘脑底核对背侧中缝核5-HT能神经元有抑制作用,在应用高频电刺激丘脑底核治疗Parkison病运动障碍时出现的情绪障碍可能与其有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李永渝	同济大学基础医学院病理生理学教研室	29	284	9.0	16.0
2	汪海宏	同济大学基础医学院生理学教研室	17	122	4.0	10.0
3	李晓敏	同济大学基础医学院生理学教研室	3	2	1.0	1.0
4	诸秉根	同济大学基础医学院生理学教研室	15	42	4.0	6.0
5	曹春燕	同济大学基础医学院生理学教研室	6	8	2.0	2.0