碳化硅表面的外延Graphene

• 作者: 吴孝松
• 来源期刊: 物理
• 学科: 物理学
• 关键词: 外延Graphene 碳化硅 狄拉克电子 手性 纳米电子学
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: Graphene科学与技术专题
• 页码范围: 409-415
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2009.06.006

摘要

Graphene具有优异的电学性质,是非常有前途的纳米电子材料,有希望替代硅成为下一代集成电路材料,尽管目前有很多种制备Graphene的方法,但就Graphene在将来集成电路方面的应用而言,在碳化硅上的外延生长法最具潜力,文章首先从Graphene的能带结构开始,简单介绍为什么Graphene具有诸多优异的电学性质,比如异常霍尔效应、室温下的高迁移率、碳纳米管的弹道输运等,然后介绍这种外延生长方法及其发展现状,通过比较在不同碳化硅晶面和在不同条件下生长的Graphene的表面形貌,得出结论,在加热炉内,生长在碳化硅晶体碳面的Graphene拥有特别高的质量,最后文章着重讨论对碳面Graphene的电学表征实验,这些实验证明这种材料中的电子是狄拉克电子,同时也发现材料具有优异的电学性质.