衬底H等离子体预处理时间对微品硅薄膜生长的影响

• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 微晶硅薄膜 晶化率 生长指数 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 薄膜
• 页码范围: 59-62
• 页数: 4页
• 分类号: O781|TB43
• 字数: 1846字
• 语种: 中文

摘要

本文采用VHF-PECVD技术制备了系列硅薄膜,通过椭圆偏振技术及拉曼测试手段研究了衬底表面预处理时间对微晶硅薄膜的微结构及其生长的影响.实验结果表明:随衬底预处理时间(0～10 min)的延长,薄膜的晶化率从14%提高到44%;薄膜表面的硅团簇尺寸减小,在衬底预处理10 min时,薄膜表面的粗糙度较小.在衬底未预处理与预处理10 min时,在相同的沉积参数下,沉积两系列不同生长阶段硅薄膜的生长指数接近.原因是H等离子体预处理使衬底表面的原子氢增多,有利于成膜先驱物在衬底表面的迁移,影响薄膜的初期成核,使薄膜易于晶化.