AgGa1-xInxSe2晶体的生长习性研究

• 作者: 万书权 何知宇 朱世富 王莹 赵北君 赵国栋 陈宝军 龙勇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AgGa1-xInxSe2 晶体生长 布里奇曼法 生长习性 实时补温技术
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 301-304
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 1556字
• 语种: 中文

摘要

采用DTA对不同铟含量(x)的AgGa1-xInxSe2多晶熔化和结晶温度进行了测试.结果表明:随着x值的增加其过冷度增大.采用改进的垂直布里奇曼法和实时补温技术,对AgGa1-xInxSe2晶体生长过程中的结晶特性和生长温度场关系进行了研究,并对其结晶形态进行了观测.发现:随着晶体生长过程的进行,熔体结晶温度呈下降趋势,固-液界面发生移动;生长晶体表面存在外形规则、形状相同的半球状小孔,有取向一致的台阶反光面,小孔底部为{112}面.研究结果为大尺寸、高质量的AgGa1-xInxSe2单晶体生长奠定了基础,生长出了尺寸达20 mm×60 mm的完整AgGa1-xInxSe2单晶体.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	陈宝军	四川大学材料科学系	56	160	7.0	9.0
4	何知宇	四川大学材料科学系	69	221	8.0	11.0
5	赵国栋	四川大学材料科学系	10	50	3.0	7.0
6	王莹	四川大学材料科学系	34	103	6.0	9.0
7	万书权	四川大学材料科学系	6	10	2.0	2.0
8	龙勇	四川大学材料科学系	3	1	1.0	1.0