由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷

• 作者: 安连涛 岳震 徐玲
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 栅电介质 MOS器件 氧化层陷阱电荷 传输线脉冲
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 8-10
• 页数: 3页
• 分类号: TN4
• 字数: 2477字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2009.01.003

摘要

以传输线脉冲(TLP)为例,研究了由静电放电脉冲应力产生的氧化层陷阱电荷Qot+的特性.当氧化层厚度为3.2nm时,无论是直流还是TLP脉冲应力,其导致氧化层击穿的正氧化层陷阱电荷Qot+的质心变化和临界密度是相同的.当氧化层厚度为14nm时,在两种不同的应力下,Qot和质心的特性是不同的.TLP脉冲应力产生的负氧化层陷阱电荷的数量Qot-远小于直流应力产生的数量.热电子产生更有效的空穴陷阱以引发击穿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐玲	中国电子科技集团公司第四十七研究所	4	2	1.0	1.0
2	岳震	中国电子科技集团公司第四十七研究所	4	4	1.0	1.0
3	安连涛	中国电子科技集团公司第四十七研究所	4	3	1.0	1.0