硅材料功率半导体器件结终端技术的新发展

• 作者: 亢宝位 吴郁 张彦飞 游雪兰
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 结终端 击穿电压
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米、固态及真空电子器件
• 页码范围: 538-546
• 页数: 9页
• 分类号: TN323.4
• 字数: 4907字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2009.03.014

摘要

综述了硅材料功率半导体器件常用结终端技术的新发展.介绍了场板、场限环、结终端延伸、横向变掺杂、深槽、超结器件的终端等一系列终端技术发展中出现的新结构、新原理和新数据,并对其优缺点与适用范围进行了说明.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴郁	北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室	38	215	9.0	13.0
2	亢宝位	北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室	28	291	10.0	16.0
3	张彦飞	北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室	2	58	2.0	2.0
4	游雪兰	北京工业大学功率半导体器件与功率集成电路研究室	2	58	2.0	2.0