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摘要:
分析了γ电离脉冲辐射诱发硅PIN光电二极管产生光电流的机理.建立了硅PIN光电二极管的器件物理模型以及γ电离脉冲辐射效应模型;运用MEDICI软件,进行了辐射效应数值模拟计算.得出了γ电离脉冲辐射剂量率在10°~109Gy(Si)/s范围内,诱发硅PIN光电二极管光电流变化的初步规律.对比了辐射效应数值模拟结果与国外相关文献给出的辐照实验结果.
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文献信息
篇名 硅PIN光电二极管γ电离脉冲辐射的数值模拟
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 PIN光电二极管 电离脉冲辐射 光电流 数值模拟
年,卷(期) 2009,(5) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 681-683
页数 3页 分类号 TN364.1
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 唐本奇 32 248 9.0 13.0
2 刘敏波 22 147 8.0 10.0
3 肖志刚 29 227 8.0 13.0
4 黄绍艳 27 220 8.0 13.0
5 陈伟 95 286 8.0 11.0
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研究主题发展历程
节点文献
PIN光电二极管
电离脉冲辐射
光电流
数值模拟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
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