径向三重流MOCVD反应器生长GaN的数值模拟

• 作者: 左然 张红
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD GaN 数值模拟
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 938-942
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3119字
• 语种: 中文

摘要

采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备三重进口行星式MOCVD (金属有机物化学气相沉积) 反应室中的输运过程进行了二维数值模拟.从浓度场的角度分析反应器内衬底上方NH3和TMGa的浓度影响因素.根据对模拟结果的分析,发现较均匀的流场对应衬底上方的反应物浓度较高,降低反应器内压强,也可获得衬底上方较高的反应物浓度,由于MOCVD反应器内有较大的温差,因此热扩散效应不能忽视.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	左然	江苏大学能源与动力工程学院	69	606	14.0	22.0
2	张红	江苏大学能源与动力工程学院	23	150	6.0	12.0