射频输入功率对类金刚石薄膜性能的影响

• 作者: 冯克成 杨思泽 齐海成
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 类金刚石 射频等离子体 化学气相淀积 X射线光电子能谱
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 41-43,60
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 1929字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2009.03.015

摘要

为了得到类金刚石薄膜的性质和制备参数之间的对应关系,利用射频等离子体增强化学气相淀积在单晶硅的(100)面上制备了类金刚石薄膜,反应气体是甲烷和氢气的混合气.研究了射频源的输入功率对类金刚石薄膜性能的影响.采用Raman光谱、X射线光电子能谱、原子力显微镜和纳米压痕仪对薄膜的微观结构、表面形貌、硬度和弹性模量进行了研究,结果表明:制备的薄膜具有典型的不定型碳的结构特征、薄膜致密均匀,随着入射功率的提高,薄膜的sp3含量、硬度以及弹性模量先增加后减小,并且在100W时达到最大值,在400W时薄膜出现碳化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨思泽	中国科学院物理研究所	34	349	11.0	17.0
2	冯克成	长春理工大学理学院	38	205	8.0	12.0
3	齐海成	鞍山师范学院物理系	2	4	1.0	2.0