SONOS非易失性存储器件研究进展

• 作者: 傅仁利 宋秀峰 张绍东 曾俊 钱凤娇
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 存储 硅/二氧化硅/氮化硅/二氧化硅/硅 氮化硅 非易失性 势阱 纳米晶
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 24-30
• 页数: 7页
• 分类号: TN303
• 字数: 5978字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.08.007

摘要

随着半导体存储器件的小型化、微型化,传统多晶硅浮栅存储因为叠层厚度过大,对隧穿氧化层绝缘性要求过高而难以适应未来存储器的发展要求.最近,基于绝缘性能优异的氮化硅的SONOS非易失性存储器件,以其相对于传统多晶硅浮栅存储器更强的电荷存储能力,易于实现小型化和工艺简单等特性而重新受到重视.文章论述了SONOS非易失性存储器件的存储原理和存‘储性能的影响因素研究进展,并在材料、工艺与结构设计等方面对SONOS存储器件性能改进的研究进展情况进行了分析和讨论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅仁利	南京航空航天大学材料科学与技术学院	55	577	15.0	21.0
2	宋秀峰	南京航空航天大学材料科学与技术学院	16	266	10.0	16.0
3	张绍东	南京航空航天大学材料科学与技术学院	4	48	3.0	4.0
4	钱凤娇	南京航空航天大学材料科学与技术学院	5	77	3.0	5.0
5	曾俊	南京航空航天大学材料科学与技术学院	7	63	4.0	7.0