第三代碲镉汞器件的研发进展

• 作者: 唐利斌 王忆锋
• 来源期刊: 光电技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 碲镉汞 pn结 光电二极管 焦平面阵列器件 红外探测器
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件与材料
• 页码范围: 17-22,66
• 页数: 7页
• 分类号: TN305
• 字数: 6440字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1255.2009.05.006

摘要

通过对近年来部分英语文献的归纳分析,介绍了国外第三代碲镉汞(MCT)器件的研发现状,包括具有新颖器件结构的双色或三色探测器、雪崩光电二极管和多光谱阵列等.分析了三代MCT器件在阵列规模、光伏技术的甚长波应用、多色、读出电路等方面的研究进展.指出利用复杂可控的气相外延生长方法,例如分子束外延(MBE)和金属有机气相化学沉积(MOCVD)等,已可制备近乎理想设计的异质结光电二极管.随着基于MBE生长的MCT技术发展,法国和美国已分别可以制备4英寸以上的大尺寸锗基和硅基晶片,并在晶片上以可控厚度沉积光敏薄膜.依据目前的发展,三代MCT技术有望3、5年内达到量产的水平.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐利斌		60	279	10.0	12.0
2	王忆锋		138	654	13.0	16.0