折叠式共源共栅CMOS LNA的优化设计

• 作者: 张杰 柯导明 马强
• 来源期刊: 电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 折叠式共源共栅 低噪声放大器 噪声系数 CMOS
• 年，卷（期）: 2009,（12）
• 所属期刊栏目: 应用设计
• 页码范围: 21-22,16
• 页数: 3页
• 分类号: TN1
• 字数: 2105字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2009.12.008

摘要

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,采用折叠式共源共栅式结构,设计了工作于1.5GHz,电源电压为1.5V的低噪声放大器.采用此结构可以显著增大截止频率,从而可以改善噪声系数.本文主要从结构出发,均衡了噪声系数,阻抗匹配,增益以及线性度,并在ADS仿真平台上进行了优化与仿真模拟,在中心频率处,噪声系数为0.617dB,增益S21为31.713dB,输入反射系数S11为-21.548dB,1dB压缩点为-11dBm.其仿真结果与设计指标基本一致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
2	马强	安徽大学电子科学与技术学院	5	5	1.0	2.0
3	张杰	安徽大学电子科学与技术学院	17	55	3.0	7.0