兼容纵向PNP,纵向NPN双极型晶体管的2.0um集成电路制造工艺的研究

• 作者: 诸闻闻
• 来源期刊: 电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 制造工艺 双极 纵向PNP
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 技术研发
• 页码范围: 78-81
• 页数: 4页
• 分类号: TP3
• 字数: 3988字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0755.2009.03.028

摘要

自从1960年第一块集成电路问世以来,集成电路工业飞速发展,不断遭遇新的要求和挑战.至今仍在应用的传统双极工艺,能够同时提供纵向NPN晶体管和横向PNP晶体管,在实际应用过程中,在遇到要求高输出电流,大驱动能力的电路时,横向PNP晶体管的性能成为电路设计的瓶颈.研究表明在传统的双极工艺中,由于基区浓度由外延本身决定,因此掺杂浓度相对较低.同时横向结构决定了基区的宽度相对于纵向结构而言,大大的增加.因此导致了PNP双极晶体管的输出性能差强人意.基于上述分析,在对传统的结构进行修改之后,以增加工艺复杂性为代价,在保证原有结构的情况下,能够得到性能令人满意的纵向PNP晶体管.增加一个BLN2层次,以满足纵向PNP晶体管对于隔离的要求,增加NB层次,从而得到掺杂浓度远高于外延层的纵向PNP晶体管的基区.从而避免了横向PNP晶体管的缺陷.主要结论为:通过合理地安排工艺步骤,能够在对原有结构不产生影响的情况下,得到性能令人满意的纵向PNP晶体管.相比于原有的横向PNP晶体管,输出特性得到极大改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	诸闻闻		1	2	1.0	1.0