DEMOS在热载流子应力下的混合失效模式

• 作者: 叶景良 高超
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 漏极延伸金属氧化物半导体场效应晶体管 热载流子 热空穴 Kirk效应
• 年，卷（期）: 2009,（9）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 881-885
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 3601字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.09.015

摘要

研究了18 V漏极延伸金属氧化物半导体场效应晶体管(DEMOS)在高栅极电压下的热载流子注入效应.实验观察到两种失效模式,分别是热空穴的注入效应和高栅压导致的阈值电压增大,发现其对器件损伤分别局限在漏极区域和沟道区域,对器件的性能影响正好相反,前者减少了漏极串联电阻,而后者增大了沟道电阻.描述了这两个失效模式的物理过程,分析并讨论了器件参数的退化曲线.讨论了如何提高DEMOS在高栅压下的抗热载流子的能力,指出了漏极上方的氧化层的质量和栅极氧化层中自由电荷数量,对于提高器件的可靠性至关重要.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶景良		2	8	1.0	2.0