Ga掺杂70Ge纳米晶的制备与研究

• 作者: 代君龙 卢铁城 唐彬 张松宝 敦少博 游草风 胡又文 胡强 范立伟 陈青云
• 来源期刊: 四川大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: Ge纳米晶 中子嬗变掺杂 光致发光 激光拉曼散射
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 756-760
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+1
• 字数: 2687字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2009.03-046

摘要

通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂70Ge(锗)纳米晶,并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)、激光拉曼散射谱(LRS)的测量与研究.结果表明:随着Ga杂质浓度的增加,580 nm附近的荧光峰的发光强度不断地下降,这可能是非辐射的俄歇复合过程与纳米晶数量的减少共同作用的结果.此外,从PL上面看到580 nm附近的荧光峰蓝移则可能是由纳米晶尺寸的减小和非辐射的俄歇复合过程引起的.