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摘要:
在国内外湿度传感器研究的基础上,基于Si CMOS工艺研制出了以聚酰亚胺(PI)为感湿介质的电容型相对湿度传感器.并对其结构进行了理论分析,仔细确定了湿度传感器的工艺步骤和版图设计.对其测量范围、湿滞和响应时间等特性参数进行了详细的测试.通过实验结果与模拟结果的对比分析,给出了该实验中存在的问题和改进意见,以便在今后的研究中加强这方面的工作.
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文献信息
篇名 基于CMOS工艺的硅基PI湿度传感器的研制
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 湿度传感器 聚酰亚胺 平行板电容 CMOS工艺 响应时间
年,卷(期) 2009,(4) 所属期刊栏目 集成电路设计与开发
研究方向 页码范围 385-388
页数 4页 分类号 TP212
字数 2338字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2009.04.021
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨子健 兰州大学物理学院 5 23 3.0 4.0
2 韦波 兰州大学物理学院 3 11 2.0 3.0
3 王敬松 兰州大学物理学院 3 13 2.0 3.0
4 崔千红 兰州大学物理学院 3 11 2.0 3.0
5 杨建红 兰州大学物理学院 44 143 6.0 9.0
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2012(1)
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  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
湿度传感器
聚酰亚胺
平行板电容
CMOS工艺
响应时间
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
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