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摘要:
本文对一个采用0.6μm CMOS工艺的迟滞比较器的失配性能进行了理论分析,探讨了关键部件的尺寸失配对该比较器迟滞性能的影响.Hspice仿真证明了理论分析的正确性;Monte Carlo仿真进一步分析了该比较器性能对失配参数的敏感性.本文的工作为今后的抗失配设计改进提供了方向.
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文献信息
篇名 0.6μm CMOS工艺迟滞比较器的失配分析
来源期刊 电路与系统学报 学科 工学
关键词 失配 CMOS工艺 迟滞比较器 Monte Carlo分析
年,卷(期) 2009,(3) 所属期刊栏目 综述
研究方向 页码范围 87-91,44
页数 6页 分类号 TN432
字数 2941字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-0249.2009.03.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王志功 东南大学射频与光电集成电路研究所 342 2153 20.0 29.0
2 徐建 7 24 4.0 4.0
3 焦阳 东南大学射频与光电集成电路研究所 7 18 3.0 4.0
传播情况
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引文网络
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2016(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
失配
CMOS工艺
迟滞比较器
Monte
Carlo分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电路与系统学报
双月刊
1007-0249
44-1392/TN
16开
广东省广州市
1996
chi
出版文献量(篇)
2090
总下载数(次)
5
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