缓冲层厚度对Ge/Si多层膜的影响

• 作者: 夏中高 杨宇 杨杰 欧阳煙 王茺 薄锐
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 缓冲层 周期结构 颗粒尺寸 红外吸收
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 902-907
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 4137字
• 语种: 中文

摘要

采用离子束溅射技术,通过改变Si缓冲层厚度,在p型Si衬底生长了一系列的Ge/Si多层膜样品.利用Raman光谱、X射线小角衍射以及原子力显微镜等分析测试技术,研究了多层薄膜的结晶、膜层结构、表面形貌等性质.结果表明:通过引入缓冲层,在一定程度上可以提高颗粒的结晶性;随着缓冲层逐渐沉积,来自界面态的影响有了明显的减弱,且多层膜结构的生长得到有效改善.红外吸收光谱实验表明多层膜的吸收特性与其周期结构密切相关,因此可以通过改变缓冲层厚度的方法,实现对多层薄膜红外吸收特性的调制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨杰	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	30	63	4.0	6.0
2	杨宇	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
3	王茺	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
4	夏中高	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	2	8	2.0	2.0
5	欧阳煙	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	1	5	1.0	1.0
6	薄锐	云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所	1	5	1.0	1.0