低相位噪声和宽调谐范围的5-GHz压控振荡器设计

• 作者: 文光俊 曾隆月 李奎利 王永平 蔡竞业
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 压控振荡器 低相位噪声 宽调谐范围 BiCMOS
• 年，卷（期）: 2009,（29）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 202-203,206
• 页数: 3页
• 分类号: TN782
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-6835.2009.29.086

摘要

本文采用TSMC 0.35μm BiCMOS工艺,设计了一个应用于无线收发机系统中频率综合器的低相位噪声和宽调谐范围的5-GHz VCO.采用HBT-PMOS交叉耦合互补结构,实现了中心频率为5GHz,调谐范围为460MHz,在5GHz频偏100KHz时相位噪声为-101.57dBc/Hz的VCO.电源电压为2.6V,总直流消耗为9.74mA.总直流功耗为25.324mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	文光俊	电子科技大学通信与信息工程学院射频集成电路研究室	74	378	10.0	14.0
2	王永平		3	14	2.0	3.0
3	曾隆月		3	4	1.0	1.0
4	蔡竞业	电子科技大学通信与信息工程学院射频集成电路研究室	4	10	1.0	3.0