超高总剂量辐射下SOI MOS器件特性研究

• 作者: 何玉娟 徐静 洪根深 肖志强 陈正才 高向东
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 总剂量辐射 辐射加固
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 32-34
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 1201字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2009.02.008

摘要

在超高总剂量辐射下,界面电荷的改变对MOS器件的阈值电压影响将越来越显著,甚至会引起NMOS的阈值电压增加,即所谓的"反弹"现象[1,2].文章研究的SOI NMOS的阈值电压并没有出现文献中所述的"反弹",原因可能和具体的工艺有关.另外,通过工艺器件仿真和辐射试验验证,SOI器件在超高总剂量辐射后的漏电不仅仅来自于阈值电压漂移所导致的背栅甚至前栅的漏电流,而是主要来自于前栅的界面态的影响.这样,单纯的对埋层SiO2进行加固来减少总剂量辐射后埋层SiO2中的陷阱正电荷,并不能有效提高SOI MOS器件的抗超高总剂量辐射性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪根深	中国电子科技集团公司第五十八研究所	33	74	5.0	6.0
2	徐静	中国电子科技集团公司第五十八研究所	16	27	4.0	5.0
3	陈正才	中国电子科技集团公司第五十八研究所	5	12	2.0	3.0
4	高向东	中国电子科技集团公司第五十八研究所	6	22	4.0	4.0
5	肖志强	中国电子科技集团公司第五十八研究所	10	60	5.0	7.0
6	何玉娟		5	17	2.0	4.0