Cu(In,Ga)Se2薄膜太阳电池二极管特性的研究

• 作者: 何青 刘芳芳 孙云 张力 李长健
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Cu(In,Ga)Se2 太阳电池 品质因子 反向饱和电流 二极管特性
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 455-459
• 页数: 5页
• 分类号: TM615
• 字数: 3012字
• 语种: 中文

摘要

本文采用线性拟合光态和暗态J-V(电流-电压)曲线的方法计算了不同效率的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳电池的二极管性能参数.在一定范围内,CIGS薄膜电池的二极管品质因子A和反向饱和电流J0值越小,电池的转换效率越高,这说明CIGS电池的复合主要发生在PN结区内.量子效率分析表明,不同效率的CIGS电池在短波区(λ<520 nm)的光谱响应相差不大,而在长波区(520～1100 nm),低效率电池存在很大的吸收,这是由低质量的CIGS吸收层造成的.这进一步验证了光-暗态J-V曲线的分析结果,即高质量的吸收层是制备CIGS电池的关键.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙云	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	33	390	11.0	19.0
2	何青	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	40	365	11.0	18.0
3	李长健	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	16	191	6.0	13.0
4	刘芳芳	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	19	224	7.0	14.0
5	张力	南开大学天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室	13	87	6.0	9.0