In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N多量子阱结构发光特性的测量与分析

• 作者: 孙元平 戴振宏 潘定珍 范俊卿 郭洪英 马旭
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN 光致发光 激发光谱
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 797-801
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2858字
• 语种: 中文

摘要

利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N多量子阱结构外延层,并用变温光致发光(PL)光谱、选择激发光谱以及激发(PLE)光谱等手段研究了该结构的量子效率、多峰效应的起源以及峰位随温度变化等信息.变温PL光谱的结果表明:在温度从30 K变化到300 K时,其峰值强度只下降了1.36倍且发光波长发生了蓝移.通过选择激发光谱证明了其发光峰位的独立性.PLE结果表明了GaN和势垒层的Stokes位移很小,但是In_xGa_(1-x)N阱层的Stokes位移变化很大.同时,提出了一种可同时获得多个吸收边的数据处理方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴振宏	烟台大学光电信息科学技术学院	37	132	7.0	10.0
2	潘定珍	烟台大学光电信息科学技术学院	3	4	2.0	2.0
3	孙元平	烟台大学光电信息科学技术学院	12	30	3.0	4.0
4	范俊卿	烟台大学光电信息科学技术学院	3	7	2.0	2.0
5	马旭	烟台大学光电信息科学技术学院	2	4	2.0	2.0
6	郭洪英	烟台大学光电信息科学技术学院	4	5	2.0	2.0