表面预处理对Ge MOS电容特性的影响

• 作者: 徐静平 蒋万翔 邹晓
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锗金属氧化物半导体 氧化钛铪 表面预处理 界面层 高k 磁控溅射法
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 573-575,606
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.2|TN386.1
• 字数: 2727字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.06.015

摘要

通过不同气体(NO、N2O、NH3)对Ge衬底进行表面预处理,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜,制备HfTiO/GeOxNy叠层高k栅介质Ge MOS电容,研究表面预处理对界面层以及界面层对器件性能的影响.隧穿电子扫描电镜(TEM)、栅电容-电压(C-V)栅极漏电流-电压(J-V)的测量结果表明,湿NO表面预处理能生长高质量的界面层,降低界面态密度,抑制MOS电容的栅极漏电流密度.施加高场应力后,湿NO表面预处理样品的平带漂移及漏电流增加最小,表示器件的可靠性得到有效增强.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学电子科学与技术系	88	358	9.0	13.0
2	邹晓	江汉大学机电与建筑工程学院	18	47	5.0	6.0