MOVPE 生长GaN薄膜的光致黄带发光与激发光源的相关性

• 作者: 于国浩 王明月 苑进社
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN薄膜 光致发光光谱 脉冲光源 连续光源
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 73-76
• 页数: 4页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2607字
• 语种: 中文

摘要

用四种不同光源作为激发光源,研究了蓝宝石衬底金属有机物汽相外延方法生长的氮化镓薄膜的光致发光特性.结果发现用连续光作为激发光源时,光致发光谱中除出现365 nm的带边发射峰外,同时观察到中心波长位于约550 nm 的较宽黄带发光;而用脉冲光作为激发光源时其发光光谱主要是365 nm附近的带边发光峰,未观察到黄带发光.氮化镓薄膜的光致发光特性依赖于所用的激发光源性质.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于国浩	重庆师范大学物理学与信息技术学院	2	9	2.0	2.0
2	苑进社		3	12	2.0	3.0
3	王明月	重庆师范大学物理学与信息技术学院	1	6	1.0	1.0