大直径LEC S-GaAs中深施主缺陷的红外光谱分析

• 作者: 刘彩池 孙卫忠 王丽华 王娜 郝秋艳
• 来源期刊: 现代仪器与医疗
• 关键词: 半绝缘砷化镓 EL2 红外光谱分析
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 41-42,50
• 页数: 3页
• 分类号: TH74
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7916.2009.05.009

摘要

本文利用红外光谱分析技术系统分析大直径LEc(Light Energy converter光能转换器)Si-GaAs中深施主缺陷EL2的浓度分布.实验结果表明,大直径LEC Si-GaAs深施主缺陷EL2浓度沿直径方向成W型分布,中心区域比较高,靠近中间区域最低,边缘区域最高.EL2是GaAs晶体中过量As存在的一种形式,其浓度强烈依赖过量As的浓度.晶体生长后的冷却过程中热应变场对过量As的分布会造成一定影响,同时位错密度的分布也会影响过量砷的分布,也就影响深施主缺陷EL2浓度的分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙卫忠	河北工业大学信息功能材料研究所	15	133	3.0	11.0
2	刘彩池	河北工业大学信息功能材料研究所	63	305	11.0	14.0
3	郝秋艳	河北工业大学信息功能材料研究所	37	179	9.0	12.0
4	王娜	河北工业大学信息功能材料研究所	22	125	6.0	10.0
5	王丽华	河北工业大学信息功能材料研究所	15	57	4.0	7.0