Nd2O3掺杂对BSTO/MgO复合陶瓷显微结构和性能的影响

• 作者: 刘敏 周洪庆 王宇光
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: BSTO/MgO Nd2O3 介电性能 掺杂
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 试验与技术
• 页码范围: 839-843
• 页数: 5页
• 分类号: TB34
• 语种: 中文

摘要

当掺杂0.3mol% Nd2O3时,BSTO/MgO复合陶瓷材料的介电常数为88,损耗2.8×10-3(4.1GHz),介电常数可调为6.9%(2.0 kV/mm).利用电介质理论分析了Nd2O3对BSTO/MgO复合陶瓷材料介电性质的改性机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘敏	南京工业大学材料科学与工程学院	59	493	13.0	18.0
2	周洪庆	南京工业大学材料科学与工程学院	94	730	13.0	19.0
3	王宇光	济宁学院化学系	4	5	1.0	2.0