氧分压与沉积速率对ITO薄膜性能的影响

• 作者: 张庆丰 许安涛 郜小勇 郭战营
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 电子束蒸发 性能 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 页码范围: 226-230
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2446字
• 语种: 中文

摘要

本文侧重研究利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电薄膜过程中氧分压、沉积速率对其性能的影响.研究发现,随着氧分压的增大,样品透光性和导电性均呈现先增大后减小的趋势;通过计算得出禁带宽度随着氧分压的增大也呈现先增大后减小的趋势.对沉积速率对样品性能的影响进行了研究,结果表明沉积速率降低有利于样品性能的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	许安涛	焦作师范高等专科学校物理系	18	150	5.0	12.0
2	郜小勇	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	52	301	10.0	14.0
3	郭战营	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	16	54	3.0	7.0
7	张庆丰	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	8	40	5.0	6.0