ULSI多层互连中W-CMP速率研究

• 作者: 刘玉岭 张伟 张进 申晓宁 苏艳勤
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路互连 化学机械抛光 钨插塞 抛光液 抛光速率
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 技术专栏
• 页码范围: 737-740
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.96|TN305.2
• 字数: 2918字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2009.08.005

摘要

随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一.分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重要的影响.在分析了抛光液中各组分的作用基础上,重点研究了专用的氧化剂、磨料、pH值调节剂和抛光液流量对CMP速率的影响,优化配制了高速率、高平整的碱性W抛光液.实验证明,抛光液流量为150 mL/min,V(硅溶胶):V(水)=1:1,有机碱为5 mL/L,活性剂为5 mL/L,H2O2质量浓度为20 mL/L时,能够获得较高的抛光速率,并实现了全局平坦化.最后对W-CMP中存在的问题和发展趋势进行了分析和展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子技术与材料研究所	263	1540	17.0	22.0
2	张伟	河北工业大学微电子技术与材料研究所	50	256	10.0	12.0
3	张进	河北工业大学微电子技术与材料研究所	9	43	3.0	6.0
4	苏艳勤	河北工业大学微电子技术与材料研究所	4	25	3.0	4.0
5	申晓宁	河北工业大学微电子技术与材料研究所	3	27	2.0	3.0