Co掺杂对ZnO晶体中光生电子瞬态过程的影响

• 作者: 强勇 彭翔宇 董国义 韦志仁 高平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 电子陷阱 掺杂 光生电子
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 页码范围: 1073-1077
• 页数: 5页
• 分类号: O734
• 字数: 2441字
• 语种: 中文

摘要

采用气相反应制备了ZnO和ZnO∶Co微晶,并通过热释光研究了材料中的电子陷阱能级(施主能级),采用微波介电谱研究了材料的光生电子瞬态过程.发现纯ZnO热释光谱有两个峰,分别为-183 ℃和-127 ℃,说明存在两个电子陷阱能级;而ZnO∶Co中热释光信号很弱,只有纯ZnO的十分之一.微波介电谱研究表明,由于电子陷阱对导带电子的驰豫作用,纯ZnO材料导带光电子的衰减为一级指数过程,寿命为802 ns.ZnO∶Co微晶体的最大微波介电谱强度低于纯ZnO晶体的五分之一,电子陷阱密度较小,其光生电子快速衰减,过程仅为10～20 ns.结果说明Co掺杂具有明显的抑制电子陷阱能级生成的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韦志仁	河北大学物理科学与技术学院	66	570	13.0	20.0
2	董国义	河北大学物理科学与技术学院	58	363	11.0	16.0
3	高平	河北大学物理科学与技术学院	11	55	5.0	7.0
4	强勇	河北大学物理科学与技术学院	2	4	1.0	2.0
5	彭翔宇	河北大学物理科学与技术学院	3	14	1.0	3.0