一种低功耗、高稳定性的无片外电容线性稳压器

• 作者: 何乐年 刘磊 宁志华 马德
• 来源期刊: 电路与系统学报
• 学科: 工学
• 关键词: 无片外电容 LDO 高稳定性 低功耗 瞬态响应
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 84-89
• 页数: 6页
• 分类号: TN401
• 字数: 3869字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-0249.2009.02.016

摘要

本文研究并设计了输出电压3.3V,最大输出电流为150mA的CMOS无片外电容的低压差线性稳压器(Off-chipcapacitor-free Low-dropout Voltage Regulator,LDO).该LDO采用了NMC(Nested Miller Compensation)频率补偿技术保证了系统的稳定性.另外,采用大电容环路和SRE(Slew Rate Enhancement)电路抑制输出电压的跳变,改善了瞬态响应.电路采用了低功耗设计技术.采用CSMC 0.5μm CMOS混合信号工艺模型仿真表明:整个LDO的静态电流仅为3.8μA;最差情况下的相位裕度约为88.50;在5V工作电压下,当负载电流在1μs内从150mA下降到1mA时,输出电压变化仅为140mV;在负载电流150mA的情况下,当电源电压在5μs内从3.5V跳变至5V时,输出电压变化也仅为140mV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磊	浙江大学超大规模集成电路研究所	29	205	7.0	13.0
2	何乐年	浙江大学超大规模集成电路研究所	88	869	16.0	26.0
3	马德	浙江大学超大规模集成电路研究所	3	22	2.0	3.0
4	宁志华	浙江大学超大规模集成电路研究所	2	16	1.0	2.0