外电场作用下二氧化硅分子的光激发特性研究

• 作者: 刘玉芳 吕文静 孙金锋 张现周 徐国亮 朱遵略
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiO2 激发态 外电场
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 3058-3063
• 页数: 6页
• 分类号: O56
• 字数: 3224字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.030

摘要

采用密度泛函B3P86和组态相互作用方法在6-311G**基组水平上计算了二氧化硅分子从基态到前5个激发态的跃迁波长、振子强度、自发辐射系数An0和吸收系数B0n(n=1-5).研究了外电场对二氧化硅分子激发态的影响规律. 结果表明,随外电场强度增大,最高占据轨道与最低空轨道能隙变小,占据轨道的电子易于激发至空轨道. 因而在外场作用下分子易于激发.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉芳	河南师范大学物理与信息工程学院	156	576	11.0	17.0
2	孙金锋	河南师范大学物理与信息工程学院	108	436	12.0	17.0
3	朱遵略	河南师范大学物理与信息工程学院	88	316	9.0	15.0
4	张现周	河南师范大学物理与信息工程学院	73	229	8.0	12.0
5	徐国亮	河南师范大学物理与信息工程学院	29	135	6.0	10.0
6	吕文静	河南师范大学物理与信息工程学院	3	30	2.0	3.0