Sm掺杂Bi4Ti3O12陶瓷晶体结构及电性能的研究

• 作者: 庄永勇 杨公安 杨文虎 毛玉琴 王瑾菲 蒲永平
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 固相反应 Bi4Ti3O12 Sm掺杂 介电性能 晶体结构
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 866-869,892
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 2134字
• 语种: 中文

摘要

采用固相反应工艺制备了Sm3+掺杂层状结构无铅Bi4-xSmxTi3O12(x=0.00,0.25,0.50,0.75,1.00,1.25)介电陶瓷.利用XRD、SEM等测试方法研究了Sm掺杂量、烧结温度和保温时间对Bi4-xSmxTi3O12 (BST) 陶瓷晶体结构及电性能的影响.结果表明:所制备的Bi4-xSmxTi3O12陶瓷均具有单一正交相结构,BST陶瓷表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构.样品的铁电性能测试表明,Sm3+施主掺杂明显降低了BIT的电导率,随着Sm3+含量的增加,Sm3+逐渐有部分取代B位,由于Sm3+取代Ti4+大大降低了氧空位的浓度,使得氧空位对电畴的钉扎作用减弱,并且材料的剩余极化Pr也相应提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒲永平	陕西科技大学材料科学与工程学院	83	448	12.0	16.0
2	杨文虎	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	13	114	5.0	10.0
3	庄永勇	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	9	70	5.0	8.0
4	杨公安	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	15	139	6.0	11.0
5	王瑾菲	陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室	20	172	8.0	12.0