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摘要:
基于0.5μm双层多晶双层铝CMOS工艺,采用共源共栅电流镜结构和基极电流补偿方法,设计了一种新颖的高性能带隙电压基准.结果表明,在温度-25℃~125℃范围,基准电压温度系数为15.3×10-6V/℃,低频时,电源抑制比可达-80db.该电路可做为A/D和D/A转换器中的基准电压源.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 高精度低温度系数带隙基准电压源的设计
来源期刊 微处理机 学科 工学
关键词 共源共栅 基极电流补偿 带隙电压基准
年,卷(期) 2009,(5) 所属期刊栏目 大规模集成电路设计、制造与应用
研究方向 页码范围 13-15
页数 3页 分类号 TN4
字数 1252字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-2279.2009.05.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李新 60 231 9.0 12.0
2 高加亭 中国电子科技集团公司第四十七研究所 5 9 2.0 2.0
3 洪婷 2 4 1.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
共源共栅
基极电流补偿
带隙电压基准
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微处理机
双月刊
1002-2279
21-1216/TP
大16开
沈阳市皇姑区陵园街20号
1979
chi
出版文献量(篇)
3415
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7
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