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摘要:
介绍了目前国际上比较流行的单电子器件仿真软件SIMON的工作原理,并且以单电子环形存储器单元电路为例,利用SIMON软件对其功能和性能进行了仿真分析,同时,还仿真了温度和随机背景电荷对单电子环形存储器单元电路的影响.研究表明,单电子环形存储器单元电路利用量子点环状电路结构形式,由外接输入电压控制各岛上的电荷,能够得到存储器的"0"和"1"状态.并且该电路对温度和背景电荷极为敏感,在温度为0 K和零背景电荷条件下电路能够正常工作,但是当温度和背景电荷发生微小变化,电路的输出状态将会受到破坏.
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文献信息
篇名 基于SIMON仿真软件的单电子存储器分析
来源期刊 微纳电子技术 学科 物理学
关键词 SIMON 单电子环形存储器 量子点 随机背景电荷
年,卷(期) 2009,(10) 所属期刊栏目 纳米器件与技术
研究方向 页码范围 587-590
页数 4页 分类号 O411.3
字数 2749字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.10.002
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄勤易 重庆科技学院电子信息工程学院 7 25 3.0 4.0
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研究主题发展历程
节点文献
SIMON
单电子环形存储器
量子点
随机背景电荷
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
微纳电子技术
月刊
1671-4776
13-1314/TN
大16开
石家庄市179信箱46分箱
18-60
1964
chi
出版文献量(篇)
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