一种低电压低温漂的基准电流源

• 作者: 吕坚 吴志明 周云 蒋亚东
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 基准电流源 带隙基准源 CMOS 低温漂 低电压
• 年，卷（期）: 2009,（8）
• 所属期刊栏目: 电源设计
• 页码范围: 178-181
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.08.056

摘要

设计一种低电压低温漂的基准电流源.首先通过带隙基准电路得到一个基准电压VREF,对输出管进行温度补偿.电压VREF接到一个NMOS输出管的栅极上,调节VREF使得这个输出管工作在零温漂区.这时输出管的阈值电压和迁移率随温度的变化率相互补偿,从而产生一个与温度无关的基准电流IREF.电路采用CSMC 0.5 μm DPTM CMOS工艺制造.通过流片验证,该电路输出管的零温漂点为(IZTC=215.4μA,VZTC=1.244 4 V),在-45～+125℃的范围内温度系数为8.1 ppm/℃,在2 V的电源电压下整个电路的功耗仅为0.45 mw.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴志明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	78	544	13.0	17.0
2	蒋亚东	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
3	周云	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	191	7.0	10.0
4	吕坚	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	246	10.0	13.0