金属氧化物半导体气敏材料的研究进展

• 作者: 吴心惠 赵义芬 赵鹤云
• 来源期刊: 传感器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 金属氧化物 复合氧化物 气敏性 气敏材料
• 年，卷（期）: 2009,（1）
• 所属期刊栏目: 技术综述
• 页码范围: 6-11,20
• 页数: 7页
• 分类号: TP212.2
• 字数: 7770字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-883X.2009.01.001

摘要

金属氧化物是重要的半导体材料,具有较好的气敏特性,作为气敏材料被广泛应用.本文较系统地对金属氧化物气敏材料的研究现状作了阐述,重点介绍了复合氧化物气敏材料的研究状况,并对其气敏性质进行了概述.展望了金属氧化物半导体气敏材料今后的研究重点及发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵鹤云	云南大学物理科学技术学院	42	292	9.0	14.0
2	赵义芬	云南大学理科学技术学院	2	45	2.0	2.0
3	吴心惠	云南大学物理科学技术学院	1	37	1.0	1.0