带有InGaAs覆盖层的InAs量子点红外探测器材料的发光与光电响应

• 作者: 吴殿仲 姜宏伟 杨成良 王文新 田海涛 蒋中伟 陈弘 高汉超
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InAs量子点 InGaAs渐变层 光致发光 分子束外延 红外探测器
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 页码范围: 209-213
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31|O484.41
• 字数: 2355字
• 语种: 中文

摘要

利用分子束外延技术(MBE),在GaAs(001)衬底上自组织生长了不同结构的InAs量子点样品,并制备了量子点红外探测器件.利用原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)光谱研究了量子点的表面结构、形貌和光学性质.渐变InGaAs层的插入有效地释放了InAs量子点所受的应力,抑制了量子点中In组分的偏析,提高了外延层的生长质量,降低了势垒高度,使InAs量子点荧光波长红移.伏安特性曲线和光电流(PC)谱结果表明,生长条件的优化提高了器件的红外响应,具有组分渐变的InGaAs层的探测器响应波长发生明显红移.