Si掺杂InN的电子结构和光学性质的第一性原理计算

• 作者: 周海平 徐明 段满益 胡志刚 董成军 陈青云
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 其他
• 关键词: Si掺杂InN 第一性原理 电子结构 光学性质
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 页码范围: 781-785
• 页数: 5页
• 分类号: O048
• 字数: 3422字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2009.06.015

摘要

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势(PWP)方法,结合广义梯度近似(GGA)计算了Si掺杂的InN的电子结构和光学性质,包括能带结构、态密度、介电常数、吸收系数、反射和电子能量损失等.计算表明掺入Si后电子趋于深能级分布,介电函数虚部出现新峰、反射峰的强度有所增强,吸收边和电子能量损失谱有蓝移现象;这些变化与Si掺杂后引起电子密度改变有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡志刚	四川师范大学物理与电子工程学院·固体物理研究所	3	16	2.0	3.0