基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究

• 作者: 刘明 刘琦 刘肃 左青云 张森 李颖弿 王琴 王艳 胡媛 龙世兵
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 阻变存储器 非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制 工作原理
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 纳米器件与技术
• 页码范围: 134-140,153
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.21|TP333.8
• 字数: 3207字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2009.03.002

摘要

随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力.但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用.通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Sehottky emission)以及普尔一法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望.