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摘要:
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氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理
p型氮化镓
镍/金
比接触电阻
同步辐射
卢瑟福背散射
空气和氧气气氛下p-GaN/Ni/Au合金性质
氮化镓
欧姆接触
同步辐射X射线衍射
Ni/Au与p-GaN的比接触电阻率测量
p型氮化镓
镍/金
比接触电阻率
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 NiO removal of Ni/Au Ohmic contact to p-GaN after annealing
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2009,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 101-104
页数 4页 分类号 TN3
字数 语种 中文
DOI 10.1088/1674-4926/30/2/026001
五维指标
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相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:the National Natural Science Foundation of China
官方网址:http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:数理科学
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