电沉积CuInSe2(CIS)薄膜材料的组成与形貌

• 作者: 杜晶晶 邹正光 陶华超 龙飞
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: CuInSe2(CIS) 薄膜 电沉积 硒化退火
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 165-168
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3328字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2009.03.003

摘要

采用乙醇为溶剂.通过恒电流的方法电沉积制备了CuOnSe2薄膜材料,研究了制备工艺条件对材料组成、结构与性能的影响,研究结果表明:最佳的沉积电流为-2 mA(vs.SCE),且电流密度的增加有利于电位较负元素的沉积;沉积膜中元素的原子比与电解液中的浓度比变化一致;硒化退火是获得高质量黄铜矿结构CuInSe2薄膜的必要过程,随着退火温度的升高和退火时间的延长,CuInSe2薄膜退火后结晶程度变好,颗粒变大,致密性也有所改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙飞	桂林工学院有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室	31	506	12.0	21.0
2	邹正光	桂林工学院有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室	60	837	18.0	26.0
3	陶华超	桂林工学院有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室	1	6	1.0	1.0
4	杜晶晶	桂林工学院有色金属材料及其加工新技术教育部重点实验室	3	40	3.0	3.0