与CMOS兼容的硅基波导型光电探测器的研究

• 作者: 冉启江 曾凡平 毛雪 米艳红 赵春华 韩培德 高利朋
• 来源期刊: 光通信技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基光电探测器 深能级缺陷 Si/Ge自组装
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 光器件
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: TN929.11
• 字数: 2268字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-5561.2009.05.012

摘要

硅基波导型光电探测器作为一类重要的光电探测器,由于其能与标准的CMOS工艺兼容以及制备工艺简单等性能,因而在光电子单片集成方面具备广阔的市场应用前景.文章着重阐述了通过离子注入引入深能级、Ge/Si自组装岛、SOI波导共振腔增强和AlGaInAs-Si混合集成等四种方式来制备硅基光电探测器的研究现状和研究进展,并对四类器件的结构,制作工艺和光电性能指标进行了详细地介绍.