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摘要:
运用电感耦合等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)分析了比较了水热法ZnO晶体+c及-c部分的杂质,用四探针法比较了两部分的电阻率.结果表明, 晶体+c部分杂质含量少于-c部分,且前者电阻率明显高于后者.比较了Xe灯激发下两部分的光学性质,用氧气和氢气分别对+c部分ZnO进行处理,并进一步用He-Cd激光器对晶体的光学性能进行了研究,分析表明ZnO晶体416 nm左右的蓝光发射来自导带到锌空位(VZn)浅受主能级的跃迁,490 nm的蓝绿光发射与锌填隙(Zni)有关,540 nm附近的黄绿光发射与氧填隙(Oi)形成的能级有关.
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文献信息
篇名 水热法ZnO单晶的缺陷和光学特性研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 ZnO 晶体缺陷 水热法 光致发光
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 210-214
页数 5页 分类号 O734
字数 2815字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杭寅 中国科学院上海光学精密机械研究所 44 386 10.0 17.0
2 孙晓慧 上海工程技术大学基础教学学院 14 49 4.0 7.0
3 许毅 上海交通大学电子信息与电气工程学院 7 14 2.0 3.0
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人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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