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发展InGaN基半导体绿色发光器件的材料挑战
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摘要：
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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
量子结构
激子效应
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SiC半导体材料和工艺的发展状况
碳化硅器件
器件工艺
半导体材料
半导体器件寿命计算
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期刊影响力
光学与光电技术
主办单位：
华中光电技术研究所
武汉光电国家实验室
湖北省光学学会
出版周期：
双月刊
ISSN：
1672-3392
CN：
42-1696/O3
开本：
大16开
出版地：
武汉市阳光大道717号
邮发代号：
38-335
创刊时间：
2003
语种：
chi
出版文献量（篇）
2142
总下载数（次）
3
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