γ脉宽对电子器件瞬时辐照效应的影响

• 作者: 周开明 朱小锋 赵洪超
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲宽度 辐射效应 剂量率 辐射存储时间
• 年，卷（期）: 2009,（10）
• 所属期刊栏目: 粒子束技术
• 页码范围: 1539-1541
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 2502字
• 语种: 中文

摘要

采用了2种γ脉冲辐射源,在脉冲宽度分别约为20,50,150 ns,剂量率为106～109 Gy(Si)·s-1下,对5种不同类型的电子器件进行了辐照试验并对其辐照响应进行了分析,比较了不同脉冲宽度条件下辐照响应的差异.实验结果表明:脉冲宽度是影响瞬时辐照效应的重要因素,γ脉冲宽度越宽,辐照响应越强,分离器件比集成电路受脉宽的影响更明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵洪超	中国工程物理研究院电子工程研究所	9	18	3.0	4.0
2	朱小锋	中国工程物理研究院电子工程研究所	6	26	3.0	5.0
3	周开明	中国工程物理研究院电子工程研究所	12	54	4.0	7.0