HIT太阳电池的单晶硅表面腐蚀工艺的研究

• 作者: 宋佩珂 宋志成 曾祥斌 王慧娟
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: HIT 各向异性腐蚀 绒面结构
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 392-395
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文

摘要

对用于HIT太阳电池的单晶硅要求有良好的界面特性,而且要求单晶硅衬底的厚度比较薄.采用各向异性腐蚀的方法制得了具有绒面结构的单晶硅衬底.腐蚀时间为40 min时,能够得到表面反射率最低的界面,平均反射率为10.9%,同时也具有规则的金字塔结构,且厚度满足制作HIT太阳电池的要求,在250 μm左右.还研究了用各向同性腐蚀的方法来减薄硅片,具有较高的腐蚀速率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾祥斌	华中科技大学电子科学与技术系	45	285	10.0	14.0
2	宋志成	华中科技大学电子科学与技术系	2	9	1.0	2.0
3	宋佩珂	华中科技大学电子科学与技术系	1	9	1.0	1.0
4	王慧娟	华中科技大学电子科学与技术系	4	29	2.0	4.0