聚合物P3HT在不同退火温度下的空穴传输特性

• 作者: 尹丽琴 彭俊彪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 空穴迁移率 聚合物 电容-频率特性
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3456-3460
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.05.091

摘要

运用交流阻抗方法系统研究了单空穴注入型器件ITO/PEDOT/P3HT/Ag(P3HT:poly(3-hexylthiophene))在多种退火温度下的电容-频率变化关系,推算出样品中相应条件下的空穴迁移率,发现退火温度对空穴迁移率有明显影响,未经过退火的样品空穴迁移率为10-4cm2/Vs数量级,迁移率数值基本不随电场强度的改变而变化,退火后样品的空穴迁移率有明显提高,约为10-3cm2/Vs数量级,此时,空穴迁移率受电场影响相对较大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭俊彪	华南理工大学高分子光电材料与器件研究所	63	524	15.0	20.0
5	尹丽琴	华南理工大学高分子光电材料与器件研究所	1	11	1.0	1.0