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摘要:
以CH4,CF4,N2为源气体,用RF-PECVD法,通过改变N2流量制备了一批掺氮氟化非晶碳(a-C:F:N)薄膜样品.分析了氮掺杂对薄膜微观结构的影响.研究发现:掺氮后薄膜表面更均匀致密,均方粗糙度(RMS)由未掺氮的2.553 nm降为1.406 nm.FTIR测试表明掺氮后薄膜中出现了C=N及C≡N,随着氮流量的增加,1 620 cm-1附近吸收峰往高频移动,CFx基团含量下降,C=C基团含量上升.Raman光谱分析表明:随着氮流量的增加,D峰与G峰强度之比由未掺氮时的1.461增加到了掺氮后的2.545,薄膜内sp2键态含量增加,即芳香环式结构比例上升.结果表明:掺氮能有效增强a-C:F薄膜交联结构,从而提高薄膜热稳定性.
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文献信息
篇名 氮掺杂对氟化非晶碳薄膜微观结构的影响
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 氟化非晶碳 氮掺杂 微观结构 表面形貌 FTIR光谱 拉曼光谱
年,卷(期) 2009,(3) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 385-388
页数 4页 分类号 TM215.3
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高金定 中南大学信息物理工程学院 23 117 5.0 10.0
5 侯玉宝 湖南涉外经济学院电气与信息工程学部 13 55 4.0 7.0
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研究主题发展历程
节点文献
氟化非晶碳
氮掺杂
微观结构
表面形貌
FTIR光谱
拉曼光谱
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
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