高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的光刻制作

• 作者: 全宇军 冉启江 曾凡平 赵春华 韩培德 高利朋
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: Si基光电子 高阶布拉格光栅 脊形波导 光刻 SOI
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 381-384
• 页数: 4页
• 分类号: TN256
• 语种: 中文

摘要

在SOI脊形波导上通过光刻的方法制作了高阶布拉格光栅.采用顶层Si厚为2μm的SOI基片,通过半导体芯片制备中的光刻工艺,在脊高为935 nm,波导宽度为2μm的脊形波导上,分别制作了刻蚀深度为565 nm和935 nm的起伏型高阶布拉格光栅,测试表明,在1540～1640 nm波长范围内,得到了大于10 dB的消光比,实现了高阶布拉格光栅在SOI脊形波导上的滤波效果.理论和实验都证明了光栅刻蚀深度的增大将有利于增加高阶布拉格光栅的耦合系数,以及光栅周期数的增加会引起更大的光栅损耗.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩培德	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	35	127	6.0	9.0
2	曾凡平	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	47	334	9.0	16.0
3	赵春华	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	6	35	4.0	5.0
4	冉启江	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	1	2	1.0	1.0
5	全宇军	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	5	35	3.0	5.0
6	高利朋	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	1	2	1.0	1.0