延长MOSFET管使用寿命的措施

• 作者: 宗相令 李久武
• 来源期刊: 辽宁广播电视技术
• 学科: 工学
• 关键词: 使用寿命 功率放大器 合成器 模块 发射机 DAM 二进制 台阶
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 页码范围: 30-31
• 页数: 2页
• 分类号: TN722.75

摘要

我台2002年6月更换了“哈广”产GZ—GS10K—II型DAM全固态中波数字调幅广播发射机。本机采用的射频功率放大级由48块功率放大器模块在功率合成器上进行功率合成。其中，有42块用于“大台阶”功率放大器，6块用于“二进制小台阶”功率放大器。每一块放大模块是由四只MOSFET管（IRFP350）组成H型桥式开关放大器，前置推动级共三块功率放大模块，每一块放大模块由四只IRFP350管组成H型桥式开关放大器。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宗相令		5	0	0.0	0.0
2	李久武		1	0	0.0	0.0